Память

• Bank Interleaving, Bank Interleave. Режим чередования адресов; типичное зна-
чение — 4. Обращение к памяти с чередованием улучшает скорость выборки.
• Burst Length, Block Transfers. Длина пакета, размер блока; типичные значения —
8,4 или 2 блока данных за один цикл работы памяти. Более высокие значения
параметров повышают производительность.
• CAS (Column Address Select), CAS Latency Time, CAS Timing Delay. Параметр
определяет количество тактов между активизацией столбца и появлением дан-
ных на выходе. Малые значения способствуют повышению эффективности,
но если значение параметра будет занижено, выходные данные станут нена-
дежными, а система начнет работать нестабильно. Если значение будет слиш-
ком большим, пострадает быстродействие.
• Command Rate, Address Cycles. Параметр определяет количество тактов, необ-
ходимых для обращения к микросхеме памяти по нужному адресу. Если в си-
стеме установлено много модулей памяти, это количество увеличивается, по-
этому для повышения быстродействия количество модулей должно быть как
можно меньше. Низкие значения означают большую производительность, но
иногда для правильной работы памяти этот параметр приходится повышать
с небольшим падением производительности.
• RAS (Row Address) Precharge Time. Параметр определяет количество тактов
предварительной зарядки, необходимой для получения адреса строки. Низкие
значения повышают быстродействие, высокие значения могут потребоваться
для обеспечения стабильной работы.
• RAS-to-CASDelay, tRCD. Параметр определяет количество тактов между полу-
чением адресов строки и столбца. Низкие значения повышают быстродействие,
но при слишком низком значении параметра произойдет ошибка адресации.
• Row Active Time, tRAS, Active to Precharge Delay, Precharge Wait State, Row Active
Delay, Row Precharge Delay. Параметр определяет время между адресацией двух
разных строк в микросхеме памяти. При заниженных значениях адресация
становится ненадежной, а при завышенных страдает производительность.
• Memory Clock, DRAM Clock. Тактовая частота шины памяти. Для нормальных
модулей SDRAM зависит от частоты системной шины (FSB). Для модулей
DDR фактическая скорость работы удваивается.
Трюк Ng 39. Включение чередования адресов для чипсетов Via 109
Используемая комбинация параметров зависит от ряда факторов: от умолчаний
BIOS и изменяемых параметров, чипсета системной платы, ограничений кэши-
руемости памяти, размеров кэшей L1 и L2 процессора, качества конструирова-
ния системной платы, производителя модулей памяти, скорости памяти и ее типа.