Интерфейсы электронной памяти

7.1. Динамическая память

245



Рис. 7.7. Временные диаграммы пакетных циклов DDR SDRAM: a — чтение, CL = 2, длина пакета 4; б — запись, длина пакета 4, данные D1 не записываются
Перед «штатным» использованием микросхем SDRAM их требуется инициали¬зировать. После подачи питания и установления синхросигнала должен быть вы¬полнен предварительный заряд всех банков, после чего запрограммирован регистр режима. Параметр CL (CAS Latency) выбирают, исходя из спецификации микро¬схем и тактовой частоты так, чтобы задержка, обусловленная CL, была бы мини¬мальной, но не меньше ТСАС. В DDR SDRAM возможны и дробные значения CL, так что настройка может быть более тонкой. В DDR SDRAM из-за необходимо¬сти настройки DLL программирование сложнее.
По причине существенного отличия интерфейса от традиционной асинхронной памяти микросхемы SDRAM не могут быть установлены в модули SIMM; они применяются в DIMM или устанавливаются прямо на системную (или графиче¬скую) плату. Интерфейс DDR SDRAM сильно отличается и от обычных микросхем SDRAM. Возможность использования этих типов памяти определяется чипсетом системной платы. Память SDRAM в конце 90-х годов стала самой распространен¬ной, поддержка DDR SDRAM появилась лишь сравнительно недавно.
7.1.3. Память Rambus DRAM
Память RDRAM (Rambus DRAM) имеет синхронный интерфейс, существенным образом отличающийся от вышеописанного. Запоминающее ядро этой памяти по¬строено на все тех же КМОП-ячейках динамической памяти, но пути повышения производительности интерфейса совершенно иные. Подсистема памяти (ОЗУ) RDRAM состоит из контроллера памяти, канала и собственно микросхем памяти. По сравнению с DDR SDRAM, при той же производительности RDRAM имеет более компактный интерфейс и большую масштабируемость. Разрядность ОЗУ RDRAM (16 байт) не зависит от числа установленных микросхем, а число банков,

246

Глава 7. Интерфейсы электронной памяти

доступных контроллеру, и объем памяти суммируются по всем микросхемам канала. При этом в канале могут присутствовать микросхемы разной емкости в любых сочетаниях.
Запоминающее ядро микросхем имеет многобанковую организацию — 64-мегабит-ные микросхемы имеют 8 банков, 256-мегабитные — 32 банка. Каждый банк име¬ет собственные усилители считывания, благодаря чему в микросхеме может быть активировано несколько банков. Для сокращения числа усилителей применяют и их разделение (совместное использование) парой смежных байт, что накладывает ограничения на их совместную активацию (до активации банка его смежник дол¬жен быть заряжен).