Интерфейсы электронной памяти

Обозначение микросхем идя изделий лидеров в области разработки и производства флэш-памяти — фирм Intel и AMD — несколько отличаются. Остальные произ¬водители для своих изделий, по свойствам аналогичных, в основном придержива¬ются системы обозначений лидеров.
Обозначение микросхем флэш-памяти Intel начинается с признака 28F, за которым следует трехзначный код объема (табл. 7.24), а за ними — два символа технологии и архитектуры:
♦
В5, ВС, ВХ, BR - Boot Block с питанием 5 В;
♦
СЗ — Boot Block с питанием 3 В;
♦
F3 — Boot Block с питанием 3 В, повышенное быстродействие;
♦
J3 и J5 — StrataFlash (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно;
♦
S3 и S5 — Flash File (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно.

290
Глава 7. Интерфейсы электронной памяти
Для флэш-памяти AMD первая часть обозначения определяет тип и характерис¬тики микросхем:
♦
Am29BDS — 1,8 В, считывание одновременно с записью, пакетный режим чтения;
♦
Am29DS — 1,8 В, считывание одновременно с записью;
♦
Am29SL- 1,8 В;
♦
Am29LV-3B;
♦
Am29DL — 3 В, считывание одновременно с записью;
♦
Am29BL — 3 В, пакетный режим чтения;
♦
Am29PL — 3 В, страничный режим чтения;
♦
AmSOLV - 3 В, UltraNAND;
♦
Am29F-5В.
Далее следует трехзначный код объема, за ним символ технологии изготовления (В, С или D), за которым следует символ архитектуры:
♦
Т — boot sector, верхний;,
♦
В — boot sector, нижний;
♦
Н — симметричная, защищен со старшим адресом;
♦
L — симметричная, защищен с младшим адресом;
♦
U (нет символа) — симметричная;
♦
J40 — число 100 %-годных блоков (только для UltraNAND).
Оставшаяся часть определяет параметры питания, быстродействие, тип корпуса, температурный диапазон и некоторые особенности.
Таблица 7.24. Популярные микросхемы флэш-памяти Обозначение Организация1
256
32Кх8ВЕ
512
64Кх8ВЕ
010
128Кх8ВЕ
020
256 Кх 8 BE
001
128Кх8ВВ
002
256Кх8ВВ
004
512Кх8ВВ, SA
008
1Мх8ВВ, SA
016
2 М х 8 ВВ, SA
200
256Кх8/128Кх16ВВ
400
512Кх8/256Кх16ВВ
800
1024Кх8/512Кх16ВВ
160
2Мх8/1 Mx16SA, ВВ
320
4Mx8/2Mx16SA
640
8Mx8/4Mx16SA
1 BE — Bulk Erase (стираемые целиком), ВВ — Boot Block (несимметричные блоки), SA — Symmetric Architecture (симметричные блоки). Через косую черту указана организация для микросхем с пере¬ключаемой разрядностью данных.