КОМПЬЮТЕРНОЕ ЖЕЛЕЗО
HARDWARE FOR PC

Интерфейсы электронной памяти

Запись и стирание защищенного блока может осуществляться только после снятия общей защиты записи по сигналу WP#. Сброс бита защиты блока осуществляется только при его успешном сти¬рании или перезаписи.

Стирание всех незащищенных блоков может выполняться одной командой.

Программирование использования сигнала RY/BY*. Возможно разрешение
отображения бита готовности глобального регистра состояния, подачи им¬
пульсного сигнала по завершении программирования или стирания (на вы¬
бор), а также запрет его формирования.

Перевод микросхемы в режим ожидания (Sleep) с пониженным потреблением В этом режиме возможно считывание состояния и получение команд.
Таблица 7.27. Дополнительные команды микросхем 28F016SA



7.3. Энергонезависимая память



299

300
Глава 7. Интерфейсы электронной памяти
Таблица 7.27 (продолжение)

1
BA - Block Address — адрес блокг, РВА - Page Buffer Address — адрес внутри буфера, RA - Extended
Register Address — адрес дополнительного регистра (BSRx или GSR), WA - Write Address — адрес во флэш-массиве. АО указывает на порядок следования байт в режиме х8{при низком уровне BYTE*):
О - сначала младший, затем старший; 1 - наоборот.
2
AD - Array Data — данные из массива, PBD - Page Buffer Data — данные буфера, WD (L,H) - Write
Data (Low, High) — данные для записи в массив, BSRD - BSR Data — информация регистра состояния блока, GSRD - GSR Data — информация глобального регистра состояния.
3
WC (L,H) - Word Count (Low, High) — счетчик слов. WCL-0 соответствует записи одного слова. Для буфера 256 байт WCH-0. BC (L,H) - Byte Count (Low, High) - счетчик байт. WCL-0 соответствует записи одного байта. Для буфера 256 байт WCH-0.
Микросхема 28F032SA представляет собой два параллельно соединенных крис¬талла 28F016SA в одном корпусе. Входы СЕ# одного из них соединены с вывода¬ми СЕО# и СЕ1 #, второго — с СЕО# и СЕ2#.
Третье поколение — современные микросхемы, выполненные по технологии SmartVoltage, допускают стирание и программирование при напряжении VPP как 12 В, так и 5 В. В последнем случае эти операции занимают больше времени. Кроме того, операции чтения возможны при пониженном (3,3 и даже 2,7 В) напряжении питания Vcc, при этом снижается потребление, но увеличивается время доступа. Для управления защитой данных введен логический сигнал WP# (Write Protect). При его высоком уровне программирование и стирание защищенных блоков выполняют¬ся так же, как и остальных. При низком уровне WP# модификация защищенных блоков возможна только при наличии высокого (12 В) напряжения на входе RP#.

Hosted by uCoz