Интерфейсы электронной памяти

2
Альтернативный код команды программирования; доступен для микросхем емкостью 2,4 и 8 Мбит.

7.3. Энергонезависимая память
-
295
Ниже описано назначение команд.
♦
Read Array/Reset — чтение массива памяти (перевод в режим, совместимый
с EPROM) и прерывание операций стирания и программирования.
♦
Read ID — чтение идентификаторов производителя и устройства.
♦
Read Status Register — чтение регистра состояния.
♦
Clear Status Register — сброс регистра состояния.
♦
Erase Setup/Erase Conf i rm — подготовка и стирание блока. В отличие от
микросхем первого поколения, все внутренние операции, необходимые для
стирания (обнуление ячеек блока, стирание и верификация), выполняются
автоматически. При получении команды в регистре состояния устанавливает¬
ся признак занятости (SR. 7=0) и любая шинная операция чтения микросхемы будет передавать данные этого регистра. Внешняя программа, периодически опрашивая регистр состояния, дожидается окончания выполнения стирания (когда SR. 7=1). Результат стирания определяется по значению бит 3, 4, 5 (их нулевое значение соответствует успешному выполнению операции).
♦
Erase Suspend/Erase Resume — приостановка/продолжение стирания. Опе¬
рацию стирания блока (как самую длительную) можно приостановить для чте¬
ния данных из других блоков. После выполнения команды Erase Suspend (код BOh) необходимо дождаться признака приостановки стирания (SR. 6=1), пос¬ле чего, подав команду Read Array, можно считывать данные другого блока. По окончании считывания подается команда Erase Resume (код DOh), кото¬рая продолжает процесс стирания и снова переводит микросхему в режим чте¬ния регистра состояния.
♦
Program Setup/Program — подготовка и программирование ячейки. Эта команда выполняется аналогично подготовке и выполнению стирания, но не может быть приостановлена. Команда выполняет сразу и программирование, и вери¬фикацию.
Команды стирания блока и программирования можно подавать, только когда управляющий автомат свободен (бит SR. 7=1). Во время этих операций микросхе¬ма следит за уровнем напряжения VPP, и, если оно понижается до порога VPPLK) этот факт регистрируется в регистре состояния и операция прерывается. Также опера¬ция прерывается при понижении напряжения питания Vcc до 2,5 В.
При считывании регистра состояния его мгновенное значение фиксируется по спаду сигнала СЕ# или ОЕ# (самого позднего из них в шинном цикле считывания).
Программирование и стирание Boot-блока отличаются от операций с другими блоками тем, что для них требуется подача высокого потенциала VHH (не ТТЛ, а +12 В) на вход PWD# перед выдачей команды стирания или программирования и удержание его до успешного завершения операции.