Интерфейсы электронной памяти

Эта задержка соответствует задержке между пакетами COLC и данными при чтении (на стороне контроллера). Задержка записи позволяет сократить вынужденные про¬стои шины данных при переключении с записи на чтение (в SDRAM они равны CAS Latency и длятся 2-3 такта по 10 не). Контроллер может посылать данные для записи уже в такте, следующим за последними данными предыдущей транз¬акции чтения. Однако если за записью следует чтение,- то на шине данных будет вынужденная пауза в 1-5 тактов в зависимости от длины канала. За это время последние данные записи дойдут от контроллера до самой дальней микросхемы памяти.

Рис. 7.10. Транзакции записи RDRAM
В микросхемах RDRAM применяется механизм отложенной, или буферирован¬ной, записи. Данные для записи (принятый пакет D) сначала помещаются в буфер, из которого несколько позже они выгружаются в усилители считывания-записи (sens amp) по явной команде выгрузки (retire) или автоматически. Буфер записи хранит сами данные, а также номер банка и адрес столбца (но не строки). Буфери¬зация записи позволяет контроллеру посылать команду записи на TRTR раньше, чем этого требует параметр TRCD, что повышает коэффициент использования шины.
Конвейерное выполнение операций RDRAM обеспечивается многобанковой орга¬низацией с отдельными усилителями считывания. Пакеты команд по линиям ROW и COL могут идти сплошным потоком, при этом на шине может присутство-

7.1. Динамическая память
249
вать до четырех транзакций. При произвольных обращениях увеличению произ¬водительности способствует большое количество банков, практически недостижи¬мое в памяти SDRAM.
Регенерация осуществляется по команде, адресуемой к определенному банку од¬ной или всех микросхем; за период регенерации эта команда должна выдаваться для всех банков.
Память RDRAM отличается высоким энергопотреблением. Средства управления энергопотреблением отключают питание неиспользуемых узлов, однако за 100-крат¬ное снижение мощности в самом экономичном режиме приходится расплачивать¬ся 250-кратным увеличением времени доступа. Микросхемы RDRAM требуют периодической (раз в 100 мс) подстройки выходного тока и термокалибровки; для этих целей имеются специальные команды. Во время подстройки тока микросхе¬мы способны сообщать о своем перегреве.
Вспомогательная шина с сигналами SCK, CMD и SIO служит для обмена данными с управляющими регистрами и вывода микросхем из состояний пониженного по¬требления (PDN и NAP). Информация по этой шине тоже передается пакетами.
Управляющие регистры хранят информацию об адресе микросхемы, управляют работой микросхемы в различных режимах, содержат счетчики регенерации для банков и строк, параметры настройки временных циклов.