Интерфейсы электронной памяти

Такая «заглушка» должна устанавливаться во все слоты канала, не занятые под модули RIMM. Если используются не все слоты, то память выгоднее ставить ближе к контроллеру — она будет работать быстрее (см. выше).
7.1.4. Память с виртуальными каналами — VC DRAM
Идея архитектуры памяти с виртуальными каналами (VirtualChannel Memory Architecture, не путать с виртуальной памятью!) заключается в помещении между массивом запоминающих ячеек и внешним интерфейсом микросхемы памяти набо¬ра канальных буферов. При этом операции обмена данными разделяются на два про¬цесса: «фасадный» обмен данными с каналами и «тыловой» обмен между каналами и массивом запоминающих ячеек. Оба процесса выполняются по командам со сто-роны внешнего интерфейса почти независимо друг от друга. Архитектура вирту¬альных каналов приложима к памяти любого типа, включая ПЗУ и флэш-память, но наиболее интересна она в приложении к динамической памяти — VC DRAM.
Устройство VC DRAM рассмотрим на примере микросхем емкостью 128 Мбит, на которых строятся выпускаемые модули DIMM VC DRAM. По интерфейсу (со¬ставу и уровням сигналов) микросхемы и модули VC DRAM аналогичны обыч¬ным микросхемам SDRAM, но отличаются системой команд. Микросхемы имеют такую же внешнюю организацию по 4,8 или 16 бит данных, но совершенно иную внутреннюю архитектуру. Они имеют две матрицы (два банка) запоминающих ячеек размером 8 Кх8 К, то есть каждая строка имеет объем 8 Кбит и состоит из четырех сегментов размером по 2 Кбит. Между матрицами и внешним интерфей-сом имеется 16 канальных буферов, каждый объемом 2 Кбит. За одно обращение к матрице выполняется параллельная передача 2 Кбит данных между одним из бу¬феров и сегментом выбранной строки. Это «тыловой» обмен реализуют команды PRF (Prefetch — чтение массива в буфер) и RST (Restore — сохранение буфера в мас¬сиве), в которых микросхеме указывается номер банка, номер сегмента и номер канала. Предварительно командой ACT должна быть активирована требуемая стро¬ка матрицы (при подаче этой команды задается банк и адрес строки). Деактивация строк (предварительный заряд) может быть автоматической, сразу после выпол¬нения обращений к массиву (для этого имеются специальные команды предвы-борки и сохранения — PRFA и RSTA) или же по специальным командам, деактиви-рующим выбранный банк или оба банка сразу.

7.1. Динамическая память
251
«Фасадный» обмен с канальными буферами выполняется по командам чтения и за¬писи (READ и WRITE), в которых указывается номер канала и часть адреса, соответ¬ствующая адресу колонки в обычной микросхеме DRAM или SDRAM.