Интерфейсы электронной памяти

Микросхемы SST29EEQ10,29LE010 и 29VE010, часто применяемые в качестве носителя флэш-BIOS, организованы как 1024 страницы по 128 байт с программ¬ной и аппаратной защитой. Каждая страница может быть защищена независимо от других. Временные диаграммы стирания и программирования, а также необхо¬димое напряжение программирования генерируются внутри микросхемы. Окон¬чание операции определяется по алгоритму Toggle Bit или Data# Polling.
Аналогичные параметры имеют микросхемы 29ЕЕ011,29LE011,29VE011 фирмы Winbond.
7.3.3. Энергонезависимая память с последовательными интерфейсами
Для микросхем энергонезависимой памяти малого объема, от которых не требу¬ется высокой производительности обмена данными, часто применяют последо¬вательные интерфейсы. Это позволяет упаковывать микросхемы памяти любо¬го объема в корпуса, имеющие минимальное число выводов (рис. 7.23, 7.24, табл. 7.29). С таким интерфейсом выпускаются микросхемы EEPROM, FRAM и флэш-памяти. Микросхемы EEPROM и флэш-памяти выполняют внутренние операции записи автономно; о завершении выполнения операции можно судить

306

Глава 7. Интерфейсы электронной памяти

по результатам опроса ее состояния. Более сложные микросхемы имеют блочную организацию и средства управления доступом к каждому блоку с помощью про¬граммируемых регистров состояния и внешнего вывода управления записью (про¬граммированием). Микросхемы FRAM выполняют все операции на скорости ин¬терфейса (на то они и RAM). Существуют модификации микросхем, позволяющие блокировать запись данных пользователем в определенную область (или всю мик¬росхему, что превращает ее в ROM). Вывод управления защитой у разных типов микросхем функционируеги называется по-разному: WP# — Write Protect, WC — Write Control, PP — Programm Protect. Для выбора микросхемы используются либо входы задания внутреннего адреса А[0:2], либо сигнал выборки CS#, с помо¬щью которого контроллер может обратиться к одному из требуемых устройств. Для упрощения внешних схем могут использоваться и несколько сигналов выбор¬ки S[0:2], один из которых (51) иногда инвертирован.
Таблица 7.29. Популярные микросхемы памяти с последовательным интерфейсом

Микросхема

Организация Рисунок

Примечание


24С001.24С01
24С02.24С164
24F016
24F128
X76F041
FM24C04.FM24C16, FM24C64, FM24C256
FM25040.FM25160, FM25256

16x8,128x8
256х8, 2Кх8
2Кх8
16Кх8
512x8
512х8,2Кх8,
8Кх8,32Кх8
512х8,2Кх8, 64Кх8

7.23, а 7.23, а 7.23,6 7.23, в 7.23, г 7.24 а
7.246

1гС. Выводы 1, 2, 3,7 = NC
I2C !гС ■ 1гС 2С
SPI


Рис.