Интерфейсы электронной памяти

7.3. Энергонезависимая память
291
Флэш-память с интерфейсом PCMCIA (PC Card) оптимизирована для построения внешней памяти миниатюрных PC. Модуль флэш-памяти в формате PC Card име¬ет интерфейс дисков IDE (ATA) как на уровне электрических сигналов, так и по системе команд. Кроме собственно микросхем накопителя этот модуль обычно со¬держит управляющую микросхему программируемой логики. Флэш-память в стан¬дарте PC Card логически является устройством внешней памяти. Ее не следует путать с похожей по виду памятью в формате Credit Card, которая является опе-ративной и вставляется в специальный (не PCMCIA) слот компьютера. Внешнюю память, в отличие от оперативной, в принципе можно вставлять и вынимать без перезагрузки ОС.
Организация и программирование флэш-памяти Intel
По организации и программированию можно выделить три поколения флэш-па¬мяти Intel.
Микросхемы первого поколения (28F256,28F512,28F010,28F020) представляют собой единый массив памяти, стираемый целиком (bulk erase). Для выполнения стирания и записи микросхемы имеют внутренний регистр команд и управля¬ющий автомат WSM (Write State Machine). Стирание и программирование флэш-памяти возможны только при подаче на вход VPP напряжения 12 В по командам, записываемым во внутренний регистр в шинном цикле записи по сигналу WE#.
Выполнение команд инициируется записью кодов команд во внутренний регистр, для чего процессор должен выполнить команду записи в память по адресу, при¬надлежащему области программируемой микросхемы флэш-памяти. На микро¬схему при этом должны прийти сигналы СЕ# (выбор) и WE# (запись). Последу¬ющие обращения к этой области как по записи (W), так и по чтению (R) должны соответствовать исполняемой команде (табл. 7.25). В шинном цикле записи адрес (если он требуется для данной команды) фиксируется по спаду сигнала WE#, фик¬сация данных выполнения команды происходит по фронту WE#. Большинство команд подается безадресно (по любому адресу, принадлежащему данной микро¬схеме); команда верификации стирания и второй цикл команды программирова¬ния подаются по адресу требуемой ячейки. Результаты стирания и программиро¬вания считываются по адресу конкретной интересующей ячейки.
Ниже описано назначение команд.
♦
Read Memory — команда чтения данных, переводящая микросхему в режим чтения, совместимый по интерфейсу с EPROM.
♦
Read ID — команда чтения идентификаторов. В последующих шинных цик¬
лах чтения по адресу 0 считывается M_Id (Manufacturer Identifier — идентифи¬катор производителя, 89h), по адресу 1 — D_Id (Device Identifier — идентифи¬катор устройства, для микросхем 8F256,28F512,28F010,28F020 это B9h, B8h,B4h и BDh соответственно).