Интерфейсы электронной памяти

Динамическая память
В модулях, начиная со второго поколения, применена последовательная идентифи¬кация параметров на двухпроводном интерфейсе (PC) для чтения атрибутов (иден¬тификации) из специальной конфигурационной памяти (обычно EEPROM 24С02), установленной на модулях.
168-pin Unbuffered DIMM — модули, у которых все цепи не буферизованы (од¬ноименные адресные и управляющие сигналы микросхем соединены параллель¬но и заводятся прямо с контактов модуля). Эти модули сильнее нагружают шину памяти, но позволяют добиться максимального быстродействия. Они предназ¬начены для системных плат с небольшим (1-4) количеством слотов DIMM или имеющих шину памяти, буферизованную на плате. Модули выполняются на микросхемах DRAM или SDRAM. Высота модулей не превышает 51 мм. Объем 8-512 Мбайт.
168-pin Registered DIMM — модули синхронной памяти (SDRAM), у которых адресные и управляющие сигналы буферизованы регистрами, синхронизиру¬емыми тактовыми импульсами системной шины. По виду этот тип DIMM легко отличим — кроме микросхем памяти и EEPROM на них установлено несколь¬ко микросхем регистров-защелок. За счет регистров эти модули меньше нагру¬жают шину памяти, что позволяет набирать больший объем памяти. Применение регистров повышает точность синхронизации и, следовательно, — тактовую час¬тоту. Однако регистр вносит дополнительный такт задержки. Кроме того, на модулях может быть установлена микросхема ФАПЧ (PLL), формирующая тактовые .сигналы для микросхем памяти и регистров-защелок. Это делается для разгрузки линий синхронизации, причем в отличие от обычной буфериза¬ции сигнала, вводящей задержку между входом и выходом, схема PLL обес¬печивает синфазность выходных сигналов (их на выходе PLL несколько, каж¬дый для своей группы микросхем) с опорным сигналом (линия СКО). Модули на 64 Мбайт могут быть и без схем PLL — в них линии СК[0:3] разводятся прямо на свои группы микросхем памяти. Регистры могут быть переведены в режим асинхронных буферов (только на 66 МГц), для чего на вход REGE нужно подать низкий уровень. Для модулей на 66 МГц возможна замена регистров асинхрон¬ными буферами.
Модули DIMM-184 предназначены для микросхем DDR SDRAM. По габаритам они аналогичны модулям DIMM-168, но у них имеются дополнительные вырезы по бокам (см. рис. 7.13, г) и отсутствует левый ключ. Разрядность — 64 или 72 бит (ЕСС), имеются варианты с регистрами в адресных и управляющих цепях ( Registered DDR SDRAM) и без них. Напряжение питания — 2,5 В. Идентификация после¬довательная. Состав сигналов в основном повторяет набор для DIMM SDRAM, назначение выводов приведено табл.