Интерфейсы электронной памяти

7.22. Таблица 7.22. Назначение выводов микросхем EPROM
Сигнал Назначение
СЕ# Chip Enable — разрешение доступа. Низкий уровень разрешает обращение
к микросхеме, высокий уровень переводит микросхему в режим пониженного потребления
ОЕ# Output Enable — разрешение выходных буферов. Низкий уровень при низком уровне СЕ# разрешает чтение данных из микросхемы. У некоторых типов микросхем на этот же вывод в режиме программирования подается напряжение VPP
DQx Data Input/Output — двунаправленные линии шины данных. Время доступа при чтении отсчитывается от установки действительного адреса или сигнала СЕ# (в зависимости от того, что происходит позднее)
Ах Address — входные линии шины адреса. Линия А9 допускает подачу высокого (12В) напряжения для чтения кода производителя (АО = 0) и устройства (АО = 1), при этом на остальные адресные линии подается логический ноль
PGM# Programm — импульс программирования (некоторые микросхемы не имеют этого
сигнала, их программирование осуществляется по сигналу СЕ# при высоком уровне Vpp) Vpp Программирующее напряжение питания (для некоторых типов — импульс) Vcc Питание (+5 В)
Отметим основные свойства EPROM.
♦
Стирание информации происходит сразу для всей микросхемы под воздей¬
ствием облучения и занимает несколько минут. Стертые ячейки имеют единич¬
ные значения всех бит.
♦
Запись может производиться в любую часть микросхемы побайтно, в пределах
байта можно маскировать запись отдельных бит, устанавливая им единичные
значения данных.

282
Глава 7. Интерфейсы электронной памяти
♦
Защита от записи осуществляется подачей низкого (5 В) напряжения на вход Vpp в рабочем режиме (только чтение).
♦
Защита от стирания производится заклейкой окна.
7.3.2. EEPROM и флэш-память
Электрически стираемая (и перезаписываемая) память EEPROM, или E2PROM (Elecrical Erasable PROM), отличается простотой выполнения записи. В простей¬шем (для пользователя) случае программирование сводится к записи байта по требуемому адресу, после чего некоторое время микросхема не способна выполнять операции чтения/записи и по другим адресам, вплоть до окончания выполнения внутренней операции программирования (со встроенным стиранием). Микросхе¬мы могут поддерживать и режим страничной записи (Page Write), в котором они принимают поток байт записи смежных ячеек в страничный буфер на нормаль¬ной скорости интерфейса, после чего вся страница записывается в энергонезави¬симую память. Страничная запись экономит время (запись страницы выполняет¬ся за то же время, что и одной ячейки), но размер страничного буфера, как правило, небольшой (4-32 байт для микросхем небольшого объема и до 128-256 байт — большого).