Интерфейсы электронной памяти

В них же можно прочитать информацию о конкретной микросхеме — организация, версия протокола и т. п. В составе управляющих есть и тестовые регистры.
Инициализация памяти включает определение наличия микросхем на шине, на¬значение им идентификаторов и программирование их параметров. После сброса микросхемы не имеют собственных адресов, а линии SIOO и SI01 у них соединены. В таком состоянии контроллер по шине CMD посылает широковещательную ко¬манду на разъединение линий, после чего для него по линии SIO оказывается до¬ступной только ближайшая микросхема канала. Ей назначается адрес (SDEVID) и дается команда на соединение линий, в результате к контроллеру подключается вторая микросхема. Она будет пронумерована очередной командой, заставляющей все доступные ненумерованные микросхемы (то есть именно ее) принять указан¬ный номер. Далее замыкаются ее линии SIO, и этот процесс продолжается до самой дальней микросхемы.
После завершения этого «переучета» включается нормальная синхронизация, и дается время для установления режима схем DLL. После двукратной активации и предварительного заряда каждого банка каждой микросхемы память готова к определению доменов синхронизации и назначению каждой микросхеме соответ¬ствующих параметров задержек. Также им должны быть присвоены идентифика¬торы в канале (DEVID), которые могут и не совпадать со значениями SDEVID (иден¬тификатором на последовательной шине).
Обязательным «фирменным» компонентом ОЗУ на RDRAM является контрол¬лер памяти. В его задачу входит обслуживание микросхем памяти, установлен¬ных в канале, по запросам, поступающим со стороны интерфейса системной шины компьютера. Часть контроллера, обращенная к каналу, инвариантна к архитекту-

250
Глава 7. Интерфейсы электронной памяти
ре компьютера. Именно она «знает» протокол RDRAM и является продуктом фирмы Rambus. Контроллер RDRAM встраивается в чипсеты для процессоров Р6 (например, 1820, 1840), Pentium 4 (1850 с 32-разрядным каналом, то есть уже под пары модулей RIMM) и других архитектурных линий.
В соответствии со спецификацией RDRAM в одном канале может быть до трех слотов под RIMM, и их интерфейсные линии соединяются змейкой. В слоты мо¬гут устанавливаться RIMM различной емкости (сейчас они выпускаются на 64, 96, 128 и 256 Мбайт). Однако пока что фирме Intel не удалось достичь устой¬чивой работы канала с тремя модулями и пришлось ограничиться двумя. Теперь в памяти появился новый элемент-пустышка Continuity module. Это как бы модуль RIMM, но без микросхем памяти, и нужен он для того, чтобы замыкать цепь кана¬ла Rambus.