Интерфейсы электронной памяти

На более высоких частотах цикл будет не лучше 3-2-2-2.

Рис. 7.17. Временные диаграммы чтения и записи асинхронной статической памяти
Синхронная пакетная статическая память, Sync Burst SRAM, оптимизирована под выполнение пакетных (burst) операций обмена, свойственных кэш-памяти. В ее структуру введен внутренний двухбитный счетчик адреса (не позволяющий пе¬рейти границу четырехэлементного пакетного цикла). В дополнение к сигналам, характерным для асинхронной памяти (адрес, данные, CS#, OE# и WE#), синхрон¬ная память использует сигнал CLC (Clock) для синхронизации с системной ши¬ной и сигналы управления пакетным циклом ADSP#, CADS* и ADV#. Сигналы CADS* (Cache ADdress Strobe) и ADSP# (ADdress Status of Processor), которыми процессор или кэш-контроллер отмечает фазу адреса очередного цикла, являются стробами записи начального адреса цикла во внутренний регистр адреса. Любой из этих сигналов инициирует цикл обращения, одиночный (single) или пакетный (burst), а сигнал ADV# (ADVance) используется для перехода к следующему адресу пакетного цикла. Все сигналы, кроме сигнала управления выходными буферами ОЕ#, синхронизируются по положительному перепаду сигнала CLK. Это означает, что значение входных сигналов должно установиться до перепада и удерживаться после него еще некоторое время. Выходные данные при считывании будут также действительны во время этого перепада. Микросхемы синхронной статической памяти, как и SDRAM, обычно имеют сигнал, выбирающий режим счета адреса: чередование {для процессоров Intel) или последовательный счет (для Power PC).
Конвейерно-пакетная статическая память, РВ SRAM (Pipelined Burst SRAM), — усовершенствование синхронной памяти (слово «синхронная» из ее названия для краткости изъяли, но оно обязательно подразумевается). Конвейером является дополнительный внутренний регистр данных, который, требуя дополнительного такта в первой пересылке цикла, позволяет остальные данные получать без тактов

276
Глава 7. Интерфейсы электронной памяти
ожидания даже на частотах выше 75 МГц. Задержка данных относительно син¬хронизирующего перепада у современных микросхем РВ SRAM составляет 4,5-8 не! Но, как и в случае Sync Burst SRAM, этот параметр не является временем доступа в чистом виде (не следует забывать о двух-трех тактах в первой переда¬че), а отражает появление действительных данных относительно очередного пе¬репада сигнала синхронизации. Интерфейс РВ SRAM аналогичен интерфейсу Sync Burst SRAM.
7.3. Энергонезависимая память
Обобщенное понятие энергонезависимой памяти (NV Storage) означает любое устройство, хранящее записанные данные даже при отсутствии питающего напря¬жения (в отличие от статической и динамической полупроводниковой памяти).