Интерфейсы электронной памяти

По ин¬терфейсу программирования микросхемы, у которых в начальной части обозна¬чения стоит число «28», как правило, близки к флэш-памяти Intel, а с числом «29» — к флэш-памяти AMD.
Микросхемы с буферированным программированием или страничной записью (Fast Page Write) могут не иметь в своей системе команд отдельной операции сти¬рания сектора. Внутренняя операция стирания (и предварительного обнуления сектора) выполняется при страничном программировании.
Для защиты от случайного выполнения ключевые последовательности команд содержат от 2 до 6 шинных циклов, причем у них может быть важен и адрес (как в микросхемах AMD). Методы защиты секторов имеют различную как программ¬ную, так и аппаратную реализацию. Для временного снятия защиты используют различные способы, одним из которых является ключевая последовательность семи шинных циклов чтения.
Микросхемы флэш-памяти Micron совместимы с Intel и обозначаются аналогич¬но, но начинаются с признака MT28F. Среди них есть и особенные, например: MT28F321P2FG - 2 М х 16 Page Flash Memory, MT28F322D18FH - 2 М х 16 Burst Flash Memory.
Фирма Silicon Storage Technology выпускает разнообразные микросхемы флэш-памяти с одним напряжением питания для всех операций. Их свойства можно определить по обозначению вида SST хх YY zzz — ttt, где хх — семейство:
♦
28 — побайтное программирование, посекторное стирание;
♦
29 — страничное программирование с прозрачным стиранием (команда стира¬ния сектора отсутствует, внутренняя операция выполняется автоматически перед записью страницы в массив).

7.3. Энергонезависимая память
305
Элемент YY задает функциональный тип и напряжение питания:
♦
ЕЕ— EEPROM-совместимые, выполнение одной инструкции, Vcc = 5 В;
♦
LE - то же, что и ЕЕ, Vcc " 3 В;
♦
VE - то же, что и ЕЕ, Vcc - 2,7 В;
♦
SF— операции Super Flash Command Register, VCc = 5 В;
♦
IF-то же, что и SF, Vcc-3 В;
♦
W7-то же, что и SF, Vcc = 2,7 В;
♦
DM — Disk Media (для флэш-дисков, требует внешнего контроллера), Vcc = 5 В;
♦
LM — то же, что и DM, Vcc ~ 3 В;
♦
Ш-тоже, что и DM, VCC = 2,7B;
♦
PC — PCMCIA (интерфейс и протоколы), Vcc = 5 В.
Элемент zzz задает объем микросхемы:
♦
572 - 512 Кбит (64 К х 8);
♦
070-1Мбит(128Кх8);
♦
040-4Мбит(512Кх8);
♦
050 - 8 Мбит (1 М х 8);
♦
016-16Мбит(2Мх8);
♦
032 - 32 Мбит (4 М х 8).
Элемент ttt задает время доступа при чтении.