Интерфейсы электронной памяти

д.) Если банки одинаковые,
то биты 4-7 нулевые
4
Количество бит адреса столбцов (аналогично предыдущему)
5
Количество банков (рядов микросхем)
6-7 Разрядность данных с учетом контрольных бит (если менее 255, байт 7 — 0)
8 Уровень напряжения интерфейса: О — 7TL/5B, 01 —LVTTL (не допускает 5 В), 02 — HSTL 1.5,03 — SSTL 3.3,04 — SSTL 2.5
продолжение^

256
Глава 7. Интерфейсы электронной памяти
Таблица 7.6 (продолжение)
Байт Назначение

9
Для DRAM — RAS Access time (в наносекундах). Для SDRAM — минимальное время
цикла (Tclk) для максимального значения CL (десятые доли не в BCD-коде)
10
Для DRAM — CAS Access time (в наносекундах). Для SDRAM — время доступа
относительно тактового импульса (Тас) аналогично предыдущему
11
Схема контроля: 00 — Non-Parity, 01 — Parity, 02 — ЕСС
12
Частота (тип) регенерации: 00 — Normal (распределенный цикл 156 мкс),
01 — Reduced 0.25х (39 мкс), 02 — Reduced 0.5х (78 мкс), 03 — Extended 2x (313мкс), 04 — Extended 4x (625 мкс), 05 — Extended 8x (125 мкс). Бит7 является признаком саморегенерации (биты 6:0 кодируют те же периоды)
13
Разрядность микросхем основной памяти, бит. Бит 7 равен 1, если имеется второй
банк с удвоенной разрядностью микросхем. Если банк один или оба банка одинаковы,
бит 7 равен О
14
Разрядность микросхем контрольных разрядов, бит (аналогично)
15-30 Детальное описание временных и организационных параметров SDRAM
31 Объемы банков (рядов микросхем): битО —4 Мбайт, бит 1—8 Мбайт, бит7 — 512 Мбайт,
единичное значение устанавливается в одном или нескольких (двух) битах 32-35 Время предварительной установки и удержания входных сигналов 36-61 Резерв
62
Ревизия SPD (две BCD-цифры)
63
Контрольная сумма байт 0-62 по модулю 256
Информация изготовителя
64-71
Идентификатор производителя по JEDEC
72
Код страны производителя
73-90
Код изделия (ASCII)
91-92
Код модификации
93-94
Дата изготовления (wwyy — неделя, год)
95-98
Серийный номер
99-127
Специальные данные изготовителя
126
Спецификация частоты (для Intel) DIMM SDRAM. Частота 66 МГц задается кодом 66п,
более высокие значения — числом МГц (100 = 64h)
127
Детализация для SDRAM 100 МГц (для Intel)
Модули SIMM-30, SIPP, SIMM-72
Модули SIMM (Single In-Line Memory Module) и SIPP (Single In-Line Pin Package) представляют собой небольшие печатные платы с односторонним краевым разъемом. Контактами модулей SIMM являются позолоченные (или покрытые специальным сплавом) площадки, расположенные на обеих поверхностях вдоль одной из сто¬рон.