Интерфейсы электронной памяти

Если количество повторов стирания превышает 3 000, фиксируется ошибка стирания и микросхема признается негодной. Алгоритм позволяет вы¬полнить полное стирание микросхемы менее чем за секунду.
♦
Set-up Program/Program — подготовка и собственно программирование.
Команда выполняется аналогично стиранию, но во втором шинном цикле пе¬
редается адрес и данные программируемой ячейки, а последующая выдержка
должна составлять не менее 10 мкс.

7.3. Энергонезависимая память
293
♦
Program Verify— верификация программирования (аналогично верификации стирания), обычно следующая после команды программирования. Между шин¬ными циклами команды верификации должна быть пауза не менее 6 икс. Алго¬ритм быстрого программирования (Quick-Pulse Programming) предусматрива¬ет формирование внутреннего цикла программирования длительностью 10 мкс с последующей верификацией. В случае несовпадения результата выполняет¬ся повторное программирование (до 25 раз для каждой ячейки), а если и это не
помогает — фиксируется отказ микросхемы.
♦
Reset — команда сброса, прерывающая команду программирования или сти¬рания. Эта команда не меняет содержимое памяти; после нее требуется подача другой действительной команды.
По включении питания внутренний регистр команд обнуляется, что соответству¬ет команде чтения, и микросхема работает как обычная микросхема PROM или EPROM. Это позволяет устанавливать микросхемы флэш-памяти вместо EPROM аналогичной емкости. При подаче на вход VPP низкого напряжения (0-6,5 В) стирание и программирование невозможны, и микросхема ведет себя как обычная EPROM.
Микросхемы второго поколения секторированы — ячейки группируются в блоки, допускающие независимое стирание (асимметричное разбиение — Boot Block и симметричное — Flash File). Длительная операция стирания одного блока мо¬жет прерываться для считывания данных других блоков, что значительно повы¬шает гибкость и производительность устройства. Микросхемы имеют более слож¬ный внутренний управляющий автомат и в них введен регистр состояния, что позволяет разгрузить внешний процессор и программу от забот по отслежива¬нию длительности операций программирования и стирания, а также упростить эти процедуры.
В отличие от микросхем первого поколения, в шинном цикле записи адрес и дан¬ные фиксируются по положительному перепаду WE#. Низкий уровень дополни¬тельного управляющего сигнала RP# (в первых версиях обозначался как PWD#) предназначен для перевода микросхемы в режим с минимальным потреблением.