Интерфейсы электронной памяти

Микросхемы различают по способу программирования.
♦
Микросхемы, программируемые при изготовлении, — масочные ПЗУ, содер¬жимое которых определяется рисунком технологического шаблона. Такие микросхемы используют лишь при выпуске большой партии устройств с од¬ной и той же прошивкой.
♦
Микросхемы, программируемые однократно после изготовления перед уста¬
новкой в целевое устройство, — ППЗУ (программируемые ПЗУ) или PROM (Programmable ROM). Программирование осуществляется прожиганием опре¬деленных хранящих элементов на специальных устройствах-программаторах.
♦
Микросхемы, стираемые и программируемые многократно, — РПЗУ (репрограммируемые ПЗУ) или EPROM(Erasable PROM — стираемые ПЗУ). Для сти¬рания и программирования требуется специальное оборудование. Микросхе¬мы программируются в программаторе. Иногда возможно программирование микросхем прямо в целевом устройстве, подключая внешний программатор, —так называемыйметодОЯР(Оп-Воагс! Programming). Наиболее распространены микросхемы УФРПЗУ, стираемые ультрафиолетовым облучением, — их обычно
называют просто EPROM или UV-EPROM(Ultra-Violet EPROM). В этом клас¬се имеются и электрически стираемые ПЗУ (ЭСПЗУ) или EEPROM (ElecricalErasable PROM).
♦
Микросхемы, перепрограммируемые многократно в целевом устройстве, ис¬
пользуя программу его процессора, — так называемый метод ISP или ISW (In-System Programming или In-System Write). К этому классу относятся чисто электрически перепрограммируемые микросхемы NVRAM и FRAM, но наиболь¬шее распространение получила флэш-память и современные модели EEPROM.
NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory) — энергонезависимая память с про¬извольным доступом. Это название подразумевает возможность произвольной смены информации не только во всей ее области или блоке, но и в отдельной ячей¬ке, причем не процедурой, а обычным шинным циклом. К этому классу относятся микросхемы FRAM и, с некоторой натяжкой, EEPROM. У последних время вы¬полнения внутренней операции записи обычно довольно большое, и после ин-терфейсной операции записи ячейки память недоступна ни для каких операций в течение нескольких мс (а то и десятков мс). Флэш-память к этому классу отно¬сить нельзя, поскольку изменение информации, недаром называемое программи¬рованием, в этой памяти осуществляется специальной программной процедурой.
Ферроэлектрическая память FRAM (Ferroelectric RAM) — энергонезависимая память с истинно произвольным доступом, запись и чтение ее осуществляются как в обычных микросхемах статической памяти.