Интерфейсы электронной памяти

♦
Chi р Erase — стирание всех незащищенных секторов. На время выполнения стирания чтение по любому адресу (кроме адресов, принадлежащих защищен¬ным секторам) выводит биты состояния.
♦
Sector Erase — стирание сектора или группы секторов. Стирание начинается через 80 икс после окончания последнего шинного цикла цепочки. До этого момента можно посылать цепочки команд стирания других секторов, выполне¬ние начнется через 80 мкс после окончания последней цепочки. Если среди ука¬занных секторов имеется защищенный, его стирание не выполняется. На время выполнения стирания чтение по адресу любого из стираемых секторов (кроме защищенных) выводит биты состояния. Бит DQ3 — Sector Erase Timer — ука¬зывает на начало выполнения стирания сектора (очередную последователь¬ность команд стирания сектора можно начинать, пока бит 3=0).
Следующим этапом стала секторированная флэш-память Am29LVxxx с одним питающим напряжением (3,0 В) для всех операций. У этих микросхем защита

7.3. Энергонезависимая память
303
любого сектора также устанавливается с помощью программатора стандартной микросхемы EPROM.a также возможно временное снятие защиты в целевой си¬стеме. Кроме программной индикации окончания операции (биты 5-7, считанные по адресу ячейки), имеется и аппаратная (сигнал RY/BY*). Также имеется сигнал аппаратного сброса, переводящий в режим чтения.
Вышеперечисленные микросхемы имеют традиционную архитектуру NOR. От них значительно отличается микросхема Am30LV0064D — 64 Мбит (8 Мх8) с архи¬тектурой UltraNAND, обеспечивающей быстрый последовательный доступ к дан¬ным выбранной страницы. Каждая страница имеет 512 байт данных и 16 допол¬нительных байт, используемых, например, для хранения ЕСС-кода. Для выбора страницы при чтении (загрузки во внутренний 528-байтный регистр) требуется около 7 мкс, после чего данные считываются последовательно со скоростью до 20 Мбайт/с (50 не/байт). Таким образом, среднее время на чтение одного байта составляет всего 65 не. Для записи данные (страница полностью или частично) загружаются в регистр с той же скоростью, после чего запись их в массив храня¬щих ячеек требует всего 200 мкс. Таким образом, среднее время на запись одного байта составляет всего 430 не — в 20 раз быстрее обычной (NOR) флэш-памяти (скорость записи 2,3 Мбайт/с). Стирание выполняется блоками по 8 Кбайт за 2 мс (в обычной — 600 мс). Микросхем» питается от 3 В. Планируется достижение объема микросхемы до 1 Гбит. Надежность хранения — 10 лет, 104 циклов без¬ошибочного программирования, более 106 циклов программирования с коррекци¬ей ошибок.