Интерфейсы электронной памяти

Адрес регене-нируемой строки для цикла ROR генерирует контроллер памяти, для CBR этот адрес берется из внутреннего счетчика каждой микросхемы памяти. Цикл скры-той регенерации (hidden refresh) является разновидностью цикла CBR. Микросхемы синхронной динамической памяти выполняют циклы CBR по коман¬де Auto Refresh. А по команде Self Refresh или Sleep Mode они выполняют автоном¬ную регенерацию в энергосберегающем режиме.
7.1.1. Асинхронная память — FPM, EDO и BEDO DRAM
Временная диаграмма, приведенная на рис. 7.1, может быть модифицирована для случая последовательного обращения к ячейкам, принадлежащим к одной строке матрицы. В этом случае адрес строки выставляется на шине только один раз и сигнал RAS# удерживается на низком уровне на время всех последующих циклов обращений, которые могут быть как циклами записи, так и чтения. Такой режим обращения называется режимом быстрого страничного обмена FPM (Fast Page Mode), или просто режимом страничного обмена (Page Mode), его временная диа-грамма приведена на рис. 7.2. Понятие «страница» на самом деле относится к стро¬ке (row), а состояние с низким уровнем сигнала RAS# называется «открытой стра¬ницей». Преимущество данного режима заключается в экономии времени за счет исключения фазы выдачи адреса строки из циклов, следующих за первым, что позволяет повысить производительность памяти. Режим FPM поддерживает и самая обычная асинхронная память, называемая стандартной (Std).

Рис. 7.2. Страничный режим считывания стандартной памяти DRAM (FPM)

7.1. Динамическая память

239

Память EDO DRAM (Extended или Enhanced Data Out) содержит регистр-защел¬ку (data latch) выходных данных, что обеспечивает некоторую конвейеризацию работы для повышения производительности при чтении. Регистр «прозрачен» при низком уровне сигнала CAS#, а по его подъему фиксирует текущее значение вы¬ходных данных до следующего его спада. Перевести выходные буферы в высоко-импедансное состояние можно либо подъемом сигнала ОЕ# (Output Enable), либо одновременным подъемом сигналов CAS# и RAS#, либо импульсом WE#, который при высоком уровне CAS# не вызывает записи (в PC управление по входу ОЕ# практически не используют).
Временная диаграмма работы с EDO-памятью в режиме страничного обмена при¬ведена на рис. 7.3; этот режим иногда называют гиперстраничным режимом обме¬на НРМ (Hyper Page mode). Его отличие от стандартного заключается в подъеме импульса CAS# до появления действительных данных на выходе микросхемы. Считывание выходных данных может производиться внешними схемами вплоть до спада следующего импульса CAS#, что позволяет экономить время за счет со-кращения длительности импульса CAS#.