Железо ПК
Для начинающих пользователейДля любопытных пользователей
Для продвинутых пользователей
Трюки
Базовые операции с системной платойНастройка системной платы
Процессор
Память
Жесткие диски
Производительность жестких дисков
Видео
Устройства ввода/вывода
Загрузка
Настройка нового компьютера
Аппаратные интерфейсы ПК
ВведениеПараллельный интерфейс— LPT-порт
Последовательный интерфейс — СОМ-порт
Беспроводные интерфейсы
Последовательные шины USB и FireWire
Шина SCSI
Шины и карты расширения
Интерфейсы электронной памяти
Специализированные интерфейсы периферийных устройств
Интерфейсы устройств хранения
Интерфейсы компьютерных сетей
Вспомогательные последовательные интерфейсы и шины
Архитектурные компоненты IBM PC-совместимого компьютера
Интерфейсы питания, заземление и гальваническая развязка
Интерфейсы электронной памяти
Для полной защиты от стирания и программирования на вход VPP должен пода¬ваться низкий логический уровень (или О В), а не 5 В, как у микросхем с програм¬мированием напряжением 12 В.
Настройка (оптимизация потребления и быстродействия) происходит по уров¬ню напряжения на выводе Vcc по включении питания, переход на другое значение должен производиться через выключение питания.
Флэш-память фирмы AMD
Фирмой AMD выпускается несколько семейств микросхем флэш-памяти. Первые из них были близки по характеристикам к флэш-памяти Intel первого поколения
7.3. Энергонезависимая память
301
(Bulk Erase, стирание и программирование 12 В): это Am28F256/512/ 010/020. В отличие от аналогичных микросхем Intel, Am28F256/512 не имели стоп^тайме-ра, что требовало точной выдержки при программировании и стирании. Следующим этапом были микросхемы Am28F256A/512A/010A/020A со встроенным алгорит¬мом программирования, отличающимся от алгоритма микросхем Intel второго поколения как последовательностью команд, так и способом определения момен¬та окончания операций. Для защиты от случайного выполнения команды состоят из 3-6 шинных циклов, причем для них существенен и адрес (табл. 7.28). Состо¬яние выполнения операций стирания или программирования определяется по результату данных, полученных в шинном цикле чтения по адресу ячейки, уча¬ствующей в операции (а не регистра состояния, как у Intel). Для определения окон¬чания операций может использоваться метод Data# Polling или Toggle Bit. Метод Data# Polling основан на анализе бита D7 считанных данных. В начале выполне-ния внутреннего цикла он устанавливается инверсным по отношению к тому, что должно быть записано в ячейку. По успешном окончании операции он принима¬ет желаемое значение (при стирании — 1). Метод Toggle Bit основан на анализе бита Об, который при каждом шинном цикле считывания во время выполнения операции меняет свое значение на противоположное. По окончании операции он остановится в каком-либо состоянии, при этом об успешности можно судить по биту 7. Единичное значение бита D5 — Exceeded Timing Limits — указывает на превышение допустимого времени выполнения операции.
Микросхемы семейства Am29Fxxx выполняют все операции при одном питающем напряжении 5 В и имеют секторированную структуру (Sector Erase), симметрич¬ную (аналогично Flash File) или несимметричную (Boot Block), с верхним (Т) и нижним (В) положением Boot-блока. С помощью программатора каждый сектор может быть защищен от модификации в целевой системе (в отличие от Intel спо¬соб установки и снятия защиты фирмой AMD широко не раскрывается).